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薄膜電容器的結(jié)構(gòu)及工藝介紹

一、薄膜電容器結(jié)構(gòu):
薄膜電容器結(jié)構(gòu)
1‐nut 螺母 2‐bottom cover 外封底蓋 3‐Al case 鋁殼 4‐label 標(biāo)簽 5‐element 芯子6‐conductor plate 導(dǎo)電線 7‐core 芯棒8‐insolated plastic cover 塑料襯底蓋 9‐electrode 電極10‐plastic cover 塑料蓋
二、卷繞技術(shù)
在傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝中,金屬化塑料薄膜電容器通過將成對薄膜卷繞在塑料芯棒上然后在電容器外包上絕緣套制作而成。
卷繞技術(shù)中的傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝
圖2:卷繞技術(shù)中的傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝
三、名詞術(shù)語
1. 標(biāo)稱容量CN:通常在電容器上標(biāo)示的已指定的容量值。
2. 額定電壓UN、和紋波電壓Ur(如下圖)。
電壓/電流‐時間波形圖
圖3:電壓/電流‐時間波形圖
額定直流電壓 UNDC:設(shè)計電容器時所采用的非反復(fù)型波形的任一極性的可連續(xù)運行的最高運行峰值電壓。
3. 非周期性浪涌電壓Us:由切換或系統(tǒng)中任何其他的擾動所導(dǎo)致的峰值電壓,此電壓只允許出現(xiàn)有限的次數(shù)并且其持續(xù)的時間要比基本周期短。
4. 絕緣電阻Rins :絕緣電阻為電容器充電一分鐘后所加的直流電壓和流經(jīng)電容器的漏電流值之比。
5. 絕緣電壓Ui:為電容器端子對外殼或?qū)Φ亻g的絕緣而設(shè)計的正弦波電壓的方均根值。
6. 最大峰值電流I:持續(xù)運行期間可重復(fù)出現(xiàn)的最大峰值電流。
7. 最大電流Imax:持續(xù)運行時的最大電流的方均根值。
8. 最大浪涌電流Is:由切換或在系統(tǒng)中任何其他的擾動所導(dǎo)致的不可重復(fù)的峰值電流,此電流只允許出現(xiàn)有限的次數(shù)并且其持續(xù)的時間要比基本周期短。
9. 串聯(lián)電阻Rs : 在規(guī)定的運行條件下,電容器的導(dǎo)體的有效歐姆電阻。
10. 等效串聯(lián)電阻Resr:一個有效電阻,當(dāng)它和所探討的電容器有相等電容值的理想電容器相串聯(lián)時,在規(guī)定的運行條件下,該電阻的損耗功率將等于該電容器中耗散的有功功率。
11. 電容器損耗角正切tan δ :在規(guī)定的正弦交流電壓、頻率和溫度下,電容器的等效串聯(lián)電阻與其容抗間之比。
12. 電容器損耗:電容器中所消耗的有功功率。
13. 最大功率損耗Pmax :電容器在最高外殼溫度下可運行的最大損耗功率。
14. 外殼溫升Δθcase:外殼最熱點的溫度與冷卻空氣溫度之差。
15. 穩(wěn)定狀態(tài)的條件:電容器在恒定的輸出和恒定的冷卻空氣溫度下所達到的熱平衡。
16. 熱點溫度θhs:電容器里出現(xiàn)最高溫度的區(qū)域的溫度。
17. 熱阻Rth :熱阻用每瓦特?zé)釗p耗導(dǎo)致電容熱點溫度比環(huán)境溫度升高的度數(shù)來表示。
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