Vishay Siliconix MOSFET 的額定電流

摘要

Vishay 采用三種方式確定MOSFET 的連續(xù)漏極電流（ID）額定值。這些值記錄在數(shù)據(jù)表第一頁的“絕對最大額定值”表中，作為設計人員的參考以確定該器件的應用是否正確。該值的計算可以采用通用的方法。不過，由于每個PCB 版圖和設計都不同，每個MOSFET 的結構也不同，因此，沒有通用的流程可用來計算每個應用的最大允許電流。Vishay 提供的數(shù)值都是在既定條件下得出的，設計人員可根據(jù)這些值對特定應用中的MOSFET 的性能進行建模。請注意，下述方法是用來計算最大允許連續(xù)直流電流。該值不能應用于采用脈沖電流（具有高峰值電流）的直流- 直流轉換器。對于這類應用，必須計算出均方根電流（IRMS），然后與數(shù)據(jù)表（IRMS << ID MAX）中的ID 額定值進行比較。IRMS 的計算公式在大多數(shù)的功率電子文章中都可找到。此外，必須將導通或關斷時出現(xiàn)的高瞬時尖峰電流與SOA 曲線進行比較，確定這種尖峰電流是否會損壞MOSFET。

下例以Si7884DP 為基礎，其采用PowerPAK® SO-8 封裝的40V MOSFET。 從“絕對最大額定值”表，我們獲得以下值：

確定ID 額定值的測量法

確定MOSFET 的最大ID 額定值的第三種方法是通過給器件施加大電流直至擊穿，使器件損壞來獲得。這種方法通常用于確定脈沖漏極電流值（IDM），但也可用于確定連續(xù)電流額定值。

如果采用這種方法，MOSFET 將達到飽和狀態(tài)，不會再有更多的電流通過該器件。在典型尺寸樣品器件上測量該值后，該額定值將作為數(shù)據(jù)表中的額定值（帶有安全裕度） 。該安全裕度可達到50%。

結論

有三種方法可用于確定Vishay MOSFET 產品的ID 額定值：公式、封裝限制和實際測量。數(shù)據(jù)表提供的數(shù)值是基于這三種方法得出的極限值。不同應用的條件可能不盡相同，但可成為設計人員了解器件限制條件的出發(fā)點。遵守相關限制要求，將有助于設計師確保MOSFET 以魯棒而可靠的工作狀態(tài)在工作范圍內良好的運行。